Лашкарев Вадим Евгениевич
Фамилия: Л
(7.10.1903, Киев – 1.12.1974, там же)
Первооткрыватель физических эффектов, которые были положены в основу полупроводниковых технологий и микроэлектроники, академик Академии наук УССР (1945).
Родился и получил высшее образование в Киеве, работал в Ленинграде и Архангельске. Найплидниши 35 лет его жизни связаны с Киевом. Здесь он начал свои исследования в Институте физики АН УССР, а затем основал и возглавил (з 1960 по 1970 год) Институт физики полупроводников АН СССР и кафедру физики полупроводников Киевского государственного университета им. Т. Г. Шевченко.
В 1941 году Вадим Евгениевич первый в мире экспериментально открыл pn переход и раскрыл механизм электронно-дирковои диффузии, на основе которых под его руководством в начале 50-х годов в Украине были созданы полупроводниковые триод. Приоритет его открытия подтверждается публикацией “Исследование запирающих слоев методом термозонда” (Известия АН СССР. Сер. Физ .- 1941 .- Т. 5) и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статье “Влияние примесей на вентильный
Он установил, что обе стороны “запорно слоя”, расположенного параллельно границе раздела медь – закись меди, имели противоположные знаки носителей тока. Это явление получило название pn перехода (p – от posиtиve, n – от negatиve). Раскрыл также механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.
Начиная с этого времени и до конца жизни ученый последовательно и плодотворно исследовал физические свойства полупроводников. Помимо двух первых работ в 1950 г. он и В. и. Ляшенко опубликовали статью “Электронные состояния на поверхности полупроводниках” (Юбил. сборно. К 70-летию акад А. Ф. Иоффе), в которой описали результаты исследований поверхностных явлений в полупроводниках, которые впоследствии стали основой работы интегральных схем на полевых транзисторах.
Первое сообщение в американской прессе о появлении полупроводникового усилителя-транзистора появилось в июле 1948 года. Его изобретатели – американские ученые Бардин и Браттейн – ушли путем создания так называемого точечного транзистора на основе кристалла германия n-типа. Первый обнадийливий результат они получили в конце 1947 г. Однако прибор работал нестабильной, его характеристики были непредвиденными, и поэтому практического применения точечный транзистор не получил. 1951 года в США появился надежном плоскостной транзистор npn типа. Его создал Шокли. Транзистор состоял из трех слоев германия n, pиn типа общей толщиной 1 см и был совсем не похож на будущие миниатюрные, а впоследствии – и невидими компоненты интегральных схем.
Уже через несколько лет значение изобретения американских ученых стало очевидным, и они были удостоены Нобелевской премии. Возможно, начало “холодной войны” или существующая тогда “железный занавес” помешали В. Е. Лашкарев стать Нобелевский лауреат.
В 2002 году имя В. Е. Лашкарева присвоено основанному им Института физики полупроводников НАН Украины.
О чём: высшее образование, Киев, образование, прибор, СССР