Литовченко Владимир Григорьевич
Фамилия: Л
Ученый в области физики полупроводников и физики твердого тела, член-корреспондент Национальной академии наук Украины (1985), доктор физико-математических наук (1971), профессор (1974), заслуженный деятель науки и техники Украины (1992), лауреат Государственных премий Украины и УССР в области науки и техники.
Родился 24 декабря 1931 года в с. Рожны Киевской области. В 1950 г. окончил среднюю школу с серебряной медалью и в сентябре того же года поступил на первый курс физического факультета Киевского государственного университета им. Т. Г. Шевченко, который закончил с отличием по специальности “Физика полупроводников”.
Творческий путь В. Г. Литовченко начался в 1955 г. в должности старшего инженера научной лаборатории полупроводников при радиофизическом факультете Киевского университета. В 1956 г. он поступает в аспирантуру Института физики АН УССР, а после ее окончания работает младшим научным сотрудником лаборатории поверхностных явлений. В 1960 он был переведен в новосозданное Институт физики полупроводников АН УССР, где и работает по сегодняшний день. В Институте он прошел путь от младшего научного сотрудника до руководителя отделения “Физика поверхности и микроэлектроника”. В 1961 г. защитил кандидатскую, а в 1971 – докторскую диссертацию. В 1974 г. ему присвоено научное звание профессора, а в 1985 – избран член-корреспондентом НАН Украины.
Начав систематические исследования физических явлений, протекающих на поверхности полупроводников, В. Г. Литовченко стал одним из основателей и лидеров украинской школы физики поверхности твердого тела и микроэлектроники. С 1962 г. под его руководством в Институте физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины начал интенсивно развиваться новое направление в области твердотельной микроэлектроники и фотоэлектроники МДП-систем. Были созданы физические модели этой многофазной слоистой структуры, выявлен ряд физических явлений, характерных для таких систем, в том числе конденсации экситонов на границах раздела, эффект планарного гетерування т.д. Проведенные под руководством В. Г. Литовченко теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых слоистых структур, которые широко применяются в интегральной микроэлектронике, открыли качественно новые возможности изучения не только искусственно созданных слоистых систем со сложным профилем потенциального рельефа, например скрытых слоев, но и достаточно распространенного в природе класса кристаллов с естественной слоистость. На этой основе были объяснены особенности многих найденных впервые эффектов в слоистых системах. Широта научных интересов Владимира Григорьевича определила многогранность его исследовательской деятельности. Логическим развитием исследований поверхности полупроводников стал выполнен вместе с учениками большой цикл работ, посвященный явлениям квантования энергии носителей и переноса электронов и дырок в поверхностных каналах (так называемая Нанофизика). В. Г. Литовченко также разработана система по определению параметров кристаличних тел (аналогична системе элементов Менделеева).
О чём: авторитет, друг, микроэлектроника, модели, признание