Родился 24 декабря 1931 года в с. Рожны Киевской области. В 1950 г. окончил среднюю школу с серебряной медалью и в сентябре того же года поступил на первый курс физического факультета Киевского государственного университета им. Т. Г. Шевченко, который закончил с отличием по специальности “Физика полупроводников”.

Творческий путь В. Г. Литовченко начался в 1955 г. в должности старшего инженера научной лаборатории полупроводников при радиофизическом факультете Киевского университета. В 1956 г. он поступает в аспирантуру Института физики АН УССР, а после ее окончания работает младшим научным сотрудником лаборатории поверхностных явлений. В 1960 он был переведен в новосозданное Институт физики полупроводников АН УССР, где и работает по сегодняшний день. В Институте он прошел путь от младшего научного сотрудника до руководителя отделения “Физика поверхности и микроэлектроника”. В 1961 г. защитил кандидатскую, а в 1971 – докторскую диссертацию. В 1974 г. ему присвоено научное звание профессора, а в 1985 – избран член-корреспондентом НАН Украины.

Начав систематические исследования физических явлений, протекающих на поверхности полупроводников, В. Г. Литовченко стал одним из основателей и лидеров украинской школы физики поверхности твердого тела и микроэлектроники. С 1962 г. под его руководством в Институте физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины начал интенсивно развиваться новое направление в области твердотельной микроэлектроники и фотоэлектроники МДП-систем. Были созданы физические модели этой многофазной слоистой структуры, выявлен ряд физических явлений, характерных для таких систем, в том числе конденсации экситонов на границах раздела, эффект планарного гетерування т.д. Проведенные под руководством В. Г. Литовченко теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых слоистых структур, которые широко применяются в интегральной микроэлектронике, открыли качественно новые возможности изучения не только искусственно созданных слоистых систем со сложным профилем потенциального рельефа, например скрытых слоев, но и достаточно распространенного в природе класса кристаллов с естественной слоистость. На этой основе были объяснены особенности многих найденных впервые эффектов в слоистых системах. Широта научных интересов Владимира Григорьевича определила многогранность его исследовательской деятельности. Логическим развитием исследований поверхности полупроводников стал выполнен вместе с учениками большой цикл работ, посвященный явлениям квантования энергии носителей и переноса электронов и дырок в поверхностных каналах (так называемая Нанофизика). В. Г. Литовченко также разработана система по определению параметров кристаличних тел (аналогична системе элементов Менделеева).

Ученый в области физико-химических основ материаловедения тонких пленок, доктор химических наук (1984), профессор, заслуженный деятель науки и техники Украины (1993).

Родился 5 апреля 1943 года в с. Кинаш Галицкого района Ивано-Франковской области. В 1959-1964 годах учился на физико-математическом факультете Ивано-Франковского государственного педагогического института, который закончил с отличием по специальности “Физика и обще-технические дисциплины”. С 1964 г. по 1968 г. обучался в аспирантуре физического факультета Львовского университета по специальности “Физика твердого тела”, которую окончил защитой кандидатской диссертации.

В 1986 г. вернулся в Ивано-Франковского педагогического института (теперь Прикарпатского национального университета имени Василия Стефаника) на должность преподавателя кафедры физики. В 1984 г. защитил докторскую диссертацию. С 1978 г. по 1991 г. работал заведующим кафедрой методики преподавания физики, а с 1991 г. по 1994 г. – физики. Должность заведующего кафедрой физики твердого тела занимает с 1994 г. В 1999 г., кроме того, был назначен директором вновь созданного Физико-химического института при университете.

Профессор Фреик Д. М. является признанным ученым с международным именем из созданного им научного направления – физико-химические основы материаловедения тонких пленок и кристаллов соединений АIVВVI и АIIВVI и твердых растворов на их основе, перспективных для активных элементов опто-и микроэлектроники, инфракрасной техники, термоэлектричества.

Фреик Д. М. автор / соавтор более 700 научных публикаций, авторских свидетельств на изобретения и патентов Украины. Под его научным руководством защищено 42 кандидатские и докторские диссертации. По его инициативе и под его руководством в Физико-химическом институте, Институте естественных наук и физико-техническом факультете университета работает еженедельный научный семанир по проблемам физического материаловедения, который является настоящей школой для молодых ученых.

Фреик Д. М. – основатель и главный редактор всеукраинского научного периодического журнала “Физика и химия твердого тела”, член редколлегий научных журналов “Физическая инженерия поверхности”, “Вестник Черновицкого национального университета. Физика. Электроника”, “Термоэлектричество”, Дмитрий Михайлович является членом оргкомитетов международных конференций: New electrical and electronic technologies and their industrial implementation (Польша), Физики полупроводников (Украина), International Symposium “Thin Films in Electronics” (Ukraine), International Conference on Modification of Properties of Surface Layers on Non-Semiconductiong Materials Using Particle Beams (Ukraine).

Проф. Фреик Д. М. не только признанный ученый, но и высококвалифицированный преподаватель, который внес весомый вклад в подготовку специалистов высшей квалификации для образования и народного хозяйства Украины. Подготовлены и изданы им свыше 20 учебных пособий и учебников нашли широкое использование при чтении спецкурсов по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, физики твердого тела и общей физики.