Первооткрыватель физических эффектов, которые были положены в основу полупроводниковых технологий и микроэлектроники, академик Академии наук УССР (1945).

Родился и получил высшее образование в Киеве, работал в Ленинграде и Архангельске. Найплидниши 35 лет его жизни связаны с Киевом. Здесь он начал свои исследования в Институте физики АН УССР, а затем основал и возглавил (з 1960 по 1970 год) Институт физики полупроводников АН СССР и кафедру физики полупроводников Киевского государственного университета им. Т. Г. Шевченко.

В 1941 году Вадим Евгениевич первый в мире экспериментально открыл pn переход и раскрыл механизм электронно-дирковои диффузии, на основе которых под его руководством в начале 50-х годов в Украине были созданы полупроводниковые триод. Приоритет его открытия подтверждается публикацией “Исследование запирающих слоев методом термозонда” (Известия АН СССР. Сер. Физ .- 1941 .- Т. 5) и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статье “Влияние примесей на вентильный

Он установил, что обе стороны “запорно слоя”, расположенного параллельно границе раздела медь – закись меди, имели противоположные знаки носителей тока. Это явление получило название pn перехода (p – от posиtиve, n – от negatиve). Раскрыл также механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.

Начиная с этого времени и до конца жизни ученый последовательно и плодотворно исследовал физические свойства полупроводников. Помимо двух первых работ в 1950 г. он и В. и. Ляшенко опубликовали статью “Электронные состояния на поверхности полупроводниках” (Юбил. сборно. К 70-летию акад А. Ф. Иоффе), в которой описали результаты исследований поверхностных явлений в полупроводниках, которые впоследствии стали основой работы интегральных схем на полевых транзисторах.

Первое сообщение в американской прессе о появлении полупроводникового усилителя-транзистора появилось в июле 1948 года. Его изобретатели – американские ученые Бардин и Браттейн – ушли путем создания так называемого точечного транзистора на основе кристалла германия n-типа. Первый обнадийливий результат они получили в конце 1947 г. Однако прибор работал нестабильной, его характеристики были непредвиденными, и поэтому практического применения точечный транзистор не получил. 1951 года в США появился надежном плоскостной транзистор npn типа. Его создал Шокли. Транзистор состоял из трех слоев германия n, pиn типа общей толщиной 1 см и был совсем не похож на будущие миниатюрные, а впоследствии – и невидими компоненты интегральных схем.

Уже через несколько лет значение изобретения американских ученых стало очевидным, и они были удостоены Нобелевской премии. Возможно, начало “холодной войны” или существующая тогда “железный занавес” помешали В. Е. Лашкарев стать Нобелевский лауреат.

В 2002 году имя В. Е. Лашкарева присвоено основанному им Института физики полупроводников НАН Украины.

Родился 4 августа 1947 г. на хуторе Дегтяревская Кочубеевский р-на Ставропольского края (Россия). После окончания с отличием в 1971 г. физического факультета Ростовского государственного университета в течение двух следующих лет работал младшим научным сотрудником в НИИ физики при Ростовском университете. В 1973 г. он поступил в аспирантуру Института металлофизики (ИМФ) АН УССР в отдел спектроскопии твердого тела, который досрочно завершил, успешно защитив кандидатскую диссертацию по теме «Электронная структура и рентгеновские эмиссионные спектры переходных металлов».

В течение 1979-1982 гг Виктор Николаевич заведовал отделом вычислительной техники ИМФ АН УССР, а затем пять лет возглавлял лабораторию вычислительной физики. Последние двадцать лет В.М. Антонов плодотворно работает в Институте металлофизики им. Г.В. Курдюмова, возглавляя отдел вычислительной физики. Сферой его деятельности является разработка методов расчетов из первых принципов электронной структуры твердых тел и исследования на основе применения этих методов физических свойств материалов. Научная группа под руководством ученого разработала полностью релятивистский спин-поляризованный линейный метод МТ ( «muffin-tin») орбиталей и создала комплексы компьютерных программ для расчета энергетической структуры и многих физических свойств материалов.

На основе разработанных методов и компьютерных программ Виктор Николаевич успешно исследовал электронную структуру и рентгеновские эмиссионные спектры 4d и 5d переходных металлов. Для 5d металлов рассчитано широкий спектр физических свойств, зависящих от электрон-фононного взаимодействия (фононного Электросопротивление, микроконтактни спектры, анизотропия циклотронних масс и др.), изучены системы, в которых решающую роль играют релятивистские эффекты и сильные электронные корреляции.

Проведенные В.М. Антоновым теоретические исследования магнитооптических свойств переходных и благородных металлов, гейслеривських сплавов, сплавов на основе платины, халкогенидив, многослойных струк тур на основе переходных металлов и др. существенно помогли при разработке материалов для использования в приборах магнитные записи информации. За исследования методами вычислительной физики природы мартенситных фазовых превращений ученого в 1999 г. был награжден премией им. Г.В. Курдюмова НАН Украины.

Виктор Николаевич подготовил 11 кандидатов наук, работающих в отечественных и зарубежных научных учреждениях.

В.М. Антонов – признанный в мире специалист. Он тесно сотрудничает с учеными Ни Германию, Великобритании, России, Соединенных Штатов Америки, Польши. За время своей научной деятельности юбиляр опубликовал свыше 300 научных статей (большинство из них – в авторитетных зарубежных журналах), в том числе в соавторстве со всемирно известными в своей области учеными. Он автор 3 монографий, две из которых изданы за рубежом. Ученый – член редколлегии профессионального журнала «металлофизики и новейшие технологии».